Surface Engineering: Surface Modification of Materials
R. Kossowsky ยท S.C. Singhal
เชกเชฟเชธเซ 2012 ยท Springer Science & Business Media
เช-เชชเซเชธเซเชคเช
764
เชชเซเช
reportเชฐเซเชเชฟเชเช เช
เชจเซ เชฐเชฟเชตเซเชฏเซ เชเชเชพเชธเซเชฒเชพ เชจเชฅเซย เชตเชงเซ เชเชพเชฃเซ
เช เช-เชชเซเชธเซเชคเช เชตเชฟเชถเซ
Over the last few years there has been increasing need for systematic and straregically designed experiments of surface morphology evolution resulting form ion bombardment induced sputtering. Although there is an impressive number of investi gations {1} concerned with semiconductor materials as a result of immediate applications, the most systematic investigations have been conducted with fcc metals with particular interest on single crystal Cu {2,3}. Evidence now exists that within certain para meters (i. e ion species (Ar+), ion energy (20-44 KeV), substrate 2 temperature (80-550ยฐ K), dose rate (100-500 gA cm- ) , residual x 5 9 pressure (5 10- to 5x10- mm Hg) and polar and azimuthal angle of ion incidence {4} reproducible surface morphology (etch pits and pyramids) is achieved on the (11 3 1) specific crystallographic orientation. The temporal development of individual surface features was alsoobserved in this laterstudy {4}, by employing an in situ ion source in the scanning electron microscope at Salford, a technique also empolyed in studies of the influence of polar angle of ion incidence {5} and surface contaminants {6} on the topographyof Ar+ bombarded Si. Studies have also been made on the variation of incident ion species with the (11 3 1) Cu surface and it was fully recognized {7} that residual surface contaminants when present could playa major role in dictating the morhological evolution.
เช เช-เชชเซเชธเซเชคเชเชจเซ เชฐเซเชเชฟเชเช เชเชชเซ
เชคเชฎเซ เชถเซเช เชตเชฟเชเชพเชฐเซ เชเซ เช
เชฎเชจเซ เชเชฃเชพเชตเซ.
เชฎเชพเชนเชฟเชคเซ เชตเชพเชเชเชตเซ
เชธเซเชฎเชพเชฐเซเชเชซเซเชจ เช
เชจเซ เชเซ
เชฌเซเชฒเซเช
Android เช
เชจเซ iPad/iPhone เชฎเชพเชเซ Google Play Books เชเชช เชเชจเซเชธเซเชเซเชฒ เชเชฐเซ. เชคเซ เชคเชฎเชพเชฐเชพ เชเชเชพเชเชจเซเช เชธเชพเชฅเซ เชเชเซเชฎเซ
เชเชฟเช เชฐเซเชคเซ เชธเชฟเชเช เชฅเชพเชฏ เชเซ เช
เชจเซ เชคเชฎเชจเซ เชเซเชฏเชพเช เชชเชฃ เชนเซ เชคเซเชฏเชพเช เชคเชฎเชจเซ เชเชจเชฒเชพเชเชจ เช
เชฅเชตเชพ เชเชซเชฒเชพเชเชจ เชตเชพเชเชเชตเชพเชจเซ เชฎเชเชเซเชฐเซ เชเชชเซ เชเซ.
เชฒเซ
เชชเชเซเชช เช
เชจเซ เชเชฎเซเชชเซเชฏเซเชเชฐ
Google Play เชชเชฐ เชเชฐเซเชฆเซเชฒ เชเชกเชฟเชเชฌเซเชเชจเซ เชคเชฎเซ เชคเชฎเชพเชฐเชพ เชเชฎเซเชชเซเชฏเซเชเชฐเชจเชพ เชตเซเชฌ เชฌเซเชฐเชพเชเชเชฐเชจเซ เชเชชเชฏเซเช เชเชฐเซเชจเซ เชธเชพเชเชญเชณเซ เชถเชเซ เชเซ.
eReaders เช
เชจเซ เช
เชจเซเชฏ เชกเชฟเชตเชพเชเชธ
Kobo เช-เชฐเซเชกเชฐ เชเซเชตเชพ เช-เชเชเช เชกเชฟเชตเชพเชเชธ เชชเชฐ เชตเชพเชเชเชตเชพ เชฎเชพเชเซ, เชคเชฎเชพเชฐเซ เชซเชพเชเชฒเชจเซ เชกเชพเชเชจเชฒเซเชก เชเชฐเซเชจเซ เชคเชฎเชพเชฐเชพ เชกเชฟเชตเชพเชเชธ เชชเชฐ เชเซเชฐเชพเชจเซเชธเชซเชฐ เชเชฐเชตเชพเชจเซ เชเชฐเซเชฐ เชชเชกเชถเซ. เชธเชชเซเชฐเซเชเซเชก เช-เชฐเซเชกเชฐ เชชเชฐ เชซเชพเชเชฒเซ เชเซเชฐเชพเชจเซเชธเซเชซเชฐ เชเชฐเชตเชพ เชฎเชพเชเซ เชธเชนเชพเชฏเชคเชพ เชเซเชจเซเชฆเซเชฐเชจเซ เชตเชฟเชเชคเชตเชพเชฐ เชธเซเชเชจเชพเช เช
เชจเซเชธเชฐเซ.
